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Paperback Croissance et caractérisation d'une couche mince d'ITO par pulvérisation magnétron [French] Book

ISBN: 6203340200

ISBN13: 9786203340204

Croissance et caractérisation d'une couche mince d'ITO par pulvérisation magnétron [French]

Dans cette ?tude, des couches minces d'oxyde d'?tain et d'indium (ITO) ont ?t? produites par des techniques de pulv?risation magn?tron DC et RF. Pour conna?tre la vitesse de d?p?t de l'ITO, le syst?me a ?t? calibr? pour les deux techniques DCMS et RFMS, puis les ITO ont ?t? cultiv?s sur un substrat de verre d'une ?paisseur de 70 nm et 40 nm en changeant la temp?rature du substrat. L'effet de la temp?rature du substrat, de l'?paisseur du film et de la m?thode de pulv?risation sur les propri?t?s structurelles, ?lectriques et optiques a ?t? ?tudi?. Les r?sultats montrent que la temp?rature du substrat et l'?paisseur du film affectent consid?rablement les propri?t?s du film, en particulier la cristallisation et la r?sistivit?. Les couches minces cultiv?es ? moins de 150 oC pr?sentaient une structure amorphe. Cependant, la cristallisation a ?t? d?tect?e avec l'augmentation de la temp?rature du substrat. La bande interdite de l'ITO a ?t? calcul?e ? environ 3,64eV ? la temp?rature du substrat de 150 oC, et elle a ?t? ?largie avec l'augmentation de la temp?rature du substrat. Des mesures ?lectriques ont permis d'obtenir une r?sistivit? ? temp?rature ambiante de 1,28?10-4 et 1,29?10-4 D-cm, respectivement pour les films pulv?ris?s DC et RF. Nous avons ?galement mesur? la r?sistivit? en fonction de la temp?rature et le coefficient de Hall des films, et nous avons calcul? la concentration des porteurs et la mobilit? de Hall.

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