Nesta tese, realiz mos um estudo te rico de ligas semicondutoras III-V na fase c bica, em particular a liga tern ria BSb₁₋ₓNₓ e o seu composto bin rio BSb. O principal objetivo foi prever as suas propriedades estruturais, eletr nicas e ticas. Os c lculos foram efectuados com o c digo WIEN2k utilizando o m todo FP-LAPW no mbito da teoria do funcional da densidade (DFT). Foram utilizadas v rias aproxima es do potencial de correla o de troca, tais como PBE-GGA, PW-LDA, PBEsol-GGA, WC-GGA e TB-mBJ.Foi estudada a evolu o dos par metros estruturais, nomeadamente o par metro de rede, o m dulo de compressibilidade e a energia de gap, em fun o da composi o. Foi observado um desvio da lei da linearidade. A utiliza o da aproxima o TB-mBJ melhorou a descri o da estrutura de bandas, com resultados pr ximos dos dados experimentais. As propriedades pticas, tais como o ndice de refra o e a constante diel ctrica, foram tamb m determinadas e mostraram uma boa concord ncia com os resultados experimentais e te ricos.
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