In dieser Studie wurden d?nne Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Filme sowohl mit DC- als auch mit RF-Magnetron-Sputtertechniken aufgewachsen. Um die Abscheidungsrate von ITO zu kennen, wurde das System sowohl f?r DCMS als auch f?r RFMS kalibriert. Anschlie end wurde ITO auf einem Glassubstrat mit einer Dicke von 70 nm und 40 nm unter ?nderung der Substrattemperatur gez?chtet. Der Einfluss der Substrattemperatur, der Schichtdicke und der Sputtermethode auf die strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften wurde untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass die Substrattemperatur und die Schichtdicke die Schichteigenschaften wesentlich beeinflussen, insbesondere die Kristallisation und den spezifischen Widerstand. Die d?nnen Schichten, die bei einer Temperatur von weniger als 150 oC gewachsen sind, zeigten eine amorphe Struktur. Mit der weiteren Erh?hung der Substrattemperatur wurde jedoch eine Kristallisation festgestellt. Die Bandl?cke von ITO wurde bei einer Substrattemperatur von 150 C mit etwa 3,64 eV berechnet und vergr? erte sich mit zunehmender Substrattemperatur. Die elektrischen Messungen ergaben einen spezifischen Widerstand bei Raumtemperatur von 1,28?10-4 und 1,29?10-4 D-cm f?r DC- bzw. RF-gesputterte Schichten. Wir haben auch die Temperaturabh?ngigkeit des spezifischen Widerstandes und des Hall-Koeffizienten der Filme gemessen und die Ladungstr?gerkonzentration und die Hall-Mobilit?t berechnet.
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