L'industrie micro?lectronique a ?volu? vers un r?gime ? l'?chelle nanom?trique qui a permis d'obtenir une faible puissance et une vitesse de commutation ?lev?e dans les circuits ?lectroniques. Selon l'International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS-2020, la technologie actuelle a atteint une taille de caract?ristique inf?rieure ? 10 nm et se rapproche de 5,6 nm. Afin de maintenir la r?duction d'?chelle, il est non seulement essentiel de d?velopper de nouvelles architectures de dispositifs, mais il peut ?galement ?tre n?cessaire de remplacer le silicium. Intel a mis au point des dispositifs ? base de transistors ? trois grilles d'une longueur de 14 nm. Les FET ? plusieurs grilles et les structures de transistor ? nanofils conviennent aux noeuds technologiques inf?rieurs ? 14 nm. Cependant, on ?tudie la possibilit? de d?velopper des nanofils verticaux avec des mat?riaux compos?s III-V, des mat?riaux d'oxyde de grille ? hauteκ et des grilles m?talliques plus performantes.
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