Untersuchung des optimalen Designs für rekonfigurierbare Geräte im Nanobereich [German]

By K Sandhya Rani, N S Murti Sarma, Ch Sathyanarayana

Der Zweck des Designs von SiNWFET unter Verwendung eines Dual-K-Spacers besteht darin, den SCE zu reduzieren und das On-Off-Stromverh ltnis zu erh hen. Das vorgeschlagene Ger t kombiniert effektiv verschiedene Mechanismen zur Verringerung des Subthreshold Swing (SS). Durch die Verwendung von Spacern und Schottky- berg ngen erhalten wir ein effizienteres System zur Verbesserung der Designmetriken wie elektrische Dichte, Potential und Widerstand des Ger ts. Unsere Simulationsergebnisse zeigen, dass ein High-κ-Spacer zwar die Leistung des Bauelements wie ION, S/S verbessert, sodass sich die Leistung des Bauelements verbessert und die Verluste reduziert werden, aber bei den bestehenden SiNWFETs ist eine Verringerung der Dicke des Gateoxids keine gute Idee, da dies zu einer Verringerung des Ein-Aus-Stromverh ltnisses f hrt, obwohl S/S weitgehend unbeeintr chtigt bleibt. Bei normalen FETs ohne Spacer ist der Aus-Strom hoch und der Kurzkanaleffekt erh ht. In den bestehenden Ger ten ist der Ausschaltstrom h her und die Leistung ebenfalls reduziert. Die berpr fung, Synthese und Durchf hrung der Literatur sind tats chliche Messgr en f r eine Standard- oder Postgraduiertenarbeit zur Literaturrecherche. Eine gut organisierte und formulierte berpr fung gibt den besten Einblick in den Beitrag und die Gestaltung einer guten Methodik.

• Format: Paperback
• Language: German
• ISBN: 6202473207
• ISBN13: 9786202473200
• Release Date: June 2025
• Publisher: Verlag Unser Wissen
• Length: 64 Pages
• Weight: 0.22 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"