Untersuchung des Oberflächenpotentials von MOSFETs im Unterschwellenbereich [German]

By Swapnadip De, Ishita Gupta, Poulami Dutta

In diesem Buch liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung und dem Einfluss von Verarmungsschichten um die Source- und Drain-Regionen auf die Sub-Threshold-Eigenschaften eines Kurzkanal-MOS-Transistors mit gleichm ig dotiertem Kanal. Ein analytisches Modell f r das Oberfl chenpotential unter der Schwelle in einem Kurzkanal-MOS-Transistor wurde entwickelt, indem die pseduo-2D-Poisson-Gleichung gel st wurde, die durch Anwendung des Gau schen Gesetzes auf einen rechteckigen Kasten im Kanal formuliert wurde, der die gesamte Tiefe der Verarmungsschicht abdeckt. Mit dem Modell konnte ein gr erer Einfluss der Verarmungsbereiche an den berg ngen bei kleinerer Kanall nge und/oder h heren Drain/Source-Vorspannungen aufgrund einer gr eren Ladungsverteilung vorhergesagt werden. Dasselbe Modell wird zur Ermittlung des Oberfl chenpotenzials unterhalb der Schwelle f r Doppel-Halo-MOSFETs verwendet. Die Verkleinerung der Bauelementedimensionen f hrt zu einer Verringerung der Gateoxiddicke. Dies hat zur Folge, dass der unerw nschte Hei e-Elektronen-Effekt und der Gate-Tunnelstrom zunehmen. Um diesen Nachteil zu berwinden, wird anstelle von Siliziumdioxid High-k-Material als Isoliermaterial unter dem Gate verwendet. Diese Modellierung wird sich als vorteilhaft erweisen und bei weiteren Forschungsarbeiten in der Zukunft helfen.

• Format: Paperback
• Language: German
• ISBN: 6206353508
• ISBN13: 9786206353508
• Release Date: August 2023
• Publisher: Verlag Unser Wissen
• Length: 68 Pages
• Weight: 0.25 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"