Bachelorarbeit aus dem Jahr 2012 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1,7, Helmut-Schmidt-Universit t - Universit t der Bundeswehr Hamburg (Fakult t f r Elektrotechnik), Sprache: Deutsch, Abstract: Die Entwicklung und Verbesserung von Metall-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) ist seit der Entdeckung des Feldeffektprinzips stetig vorangetrieben worden. Unter dem Feldeffektprinzip versteht man die Beeinflussung der Ladungstr gerverteilung durch das elektrische Feld einer angelegten Spannung an die Steuerelektrode eines Feldeffekttransistors. Die physikalischen Vorg nge und Abl ufe in einem MOSFET sind heutzutage gr tenteils bereits erforscht und bekannt. Aufbauend auf diesem Wissen werden seit den 1970er Jahren auch die Eigenschaften und Verwendungsm glichkeiten sogenannter organischer Feldeffekttransistoren (OFETs) weiterentwickelt und untersucht.
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