Fran ais Le conducteur, le semi-conducteur (bande interdite directe et indirecte) et l'isolant jouent un r le important dans les domaines de recherche en physique et en mat riaux. Presque tous les mat riaux ont une sorte de propri t s lectroniques. Nous avons effectu le calcul pour tudier la structure de bande et la densit d' tat (DoS) en utilisant le code WIEN dans la m thode de la th orie fonctionnelle de la densit (DFT). Dans ce travail, le calcul de la structure de bande est effectu pour le mangan se (Mn), la bande interdite indirecte du silicium (Si), la bande interdite directe du phosphore d'indium (In-P) et le brome (Br) qui concordent troitement avec les r sultats exp rimentaux disponibles. De plus, partir de l' tude de la densit d' tat totale et partielle de Mn, vSi, In-P et Br, il est observ que les mat riaux sont conducteurs, semi-conducteurs (bande interdite indirecte et directe) et isolants. Dans un premier temps, la structure est optimis e avec les param tres de r seau existants et les propri t s lectroniques sont d termin es pour la structure optimis e. Le profil de bande et les histogrammes DoS sugg rent la mobilit des lectrons de la bande de valence la bande de conduction. L' cart nerg tique existant/non existant entre la bande de valence et la bande de conduction est explor et la nature conductrice des mat riaux rapport s.
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