Étude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille [French]

By Birahim Diagne

tude et mod lisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille d di la conception Nous proposons un mod le compact du transistor MOS double-grille silicium sur isolant (SOI) en mode de fonctionnement sym trique. Le mod le est bas sur le formalisme EKV et offre les caract ristiques suivantes: une expression analytique simple d crivant le comportement statique et dynamique du dispositif, des relations directes entre charges- tensions et tensions-courant, une m thode de calcul num rique robuste et rapide, une impl mentation ais e du mod le dans un langage de haut niveau tel que VHDL-AMS permettant ainsi une simulation rapide et pr cise des caract ristiques lectriques. Le mod le prend en compte non seulement les effets de petites g om tries tels que l'abaissement de la barri re de potentiel induit par le drain, le partage de charge, la d gradation de la pente sous le seuil ainsi que la r duction de la mobilit des porteurs, mais galement les effets dynamiques extrins ques. Il a t valid pour des dispositifs de longueur de canal de 60nm. Sa validation a t effectu e par comparaison de ses r sultats avec ceux obtenus sur le simulateur de composants Atlas/SILVACO.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 3838182235
• ISBN13: 9783838182230
• Release Date: May 2020
• Publisher: Editions Universitaires Europeennes
• Length: 276 Pages
• Weight: 0.90 lbs.
• Dimensions: 0.6" x 6.0" x 9.0"