Étude de la conception optimale de dispositifs reconfigurables à l'échelle nanométrique [French]

By K Sandhya Rani, Ch Sathyanarayana, N S Murti Sarma

L'objectif de la conception du SiNWFET double espaceur k est de r duire le SCE et d'augmenter le rapport courant marche/arr t. Le dispositif propos combine efficacement diff rents m canismes permettant de r duire le sub threshold swing (SS). L'utilisation d'espaceurs et d'une jonction Schottky permet d'obtenir un syst me plus efficace pour am liorer les param tres de conception tels que la densit lectrique, le potentiel et la r sistance du dispositif. Nos r sultats de simulation montrent que, bien que l'espaceur haute constante di lectrique am liore les performances du dispositif telles que l'ION, le S/S, les performances du dispositif sont am lior es et les pertes r duites. Dans le SiNWFET existant, la r duction de l' paisseur de l'oxyde de grille n'est pas une bonne id e, car elle entra ne une r duction du rapport courant marche/arr t, bien que le S/S reste pratiquement inchang . Dans un FET normal sans espaceur, le courant d'arr t est lev et l'effet de canal court est accru. Dans les dispositifs existants, le courant de coupure est plus lev et les performances sont galement r duites. La revue, la synth se et la conduite de la litt rature sont des mesures r elles d'une tentative standard ou postuniversitaire de revue de la litt rature. Une revue bien organis e et formul e mettra en lumi re la contribution et le cadre d'une bonne m thodologie.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6202473215
• ISBN13: 9786202473217
• Release Date: June 2025
• Publisher: Editions Notre Savoir
• Length: 60 Pages
• Weight: 0.21 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"