Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich ... und Elektronik)
Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverst?rkern f?r den Frequenzbereich von 200 bis ?ber 250 GHz. Daf?r sind verl?ssliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz best?tigt. Es wird ein Verst?rkerkonzept erarbeitet, das ma geschneidert f?r den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verst?rker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung erm?glicht.
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