Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej [Polish]

By Rahman Bakhyshov

Niniejsza praca jest poświęcona analizie termodynamicznej proces w fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych związku p lprzewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w ukladzie przeplywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu proces w technologicznych w celu prognozowania możliwych wariant w technologicznych i określenia optymalnych warunk w syntezy tego związku. Podano wyniki badań nad definiowaniem i obliczaniem parametr w termodynamicznych poszczeg lnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu proces w wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano związek pomiędzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi źr dlami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametr w technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w ukladzie transportu gazu przeplywowego z wydzielonymi źr dlami galu i selenu.

• Format: Paperback
• Language: Polish
• ISBN: 6202589000
• ISBN13: 9786202589000
• Release Date: June 2020
• Publisher: Wydawnictwo Nasza Wiedza
• Length: 60 Pages
• Weight: 0.22 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"