Temperaturabhängigkeit von Solarzellenparametern: Optische Eigenschaften von dünnen Titandioxid-Coatings im Temperaturbereich von 300 K bis 500 K [German]
Der Kurzschlu strom einer Solarzelle sollte in erster N herung linear mit der Temperatur ansteigen. Messungen an kommerziellen Solarzellen ergaben eine Abnahme des Kurzschlu stromes ab etwa 350 K. Dieses Verhalten war bisher noch nicht beobachtet und erkl rt worden. In dieser Arbeit wurden mit Hilfe von PC-1D, einem Solarzellensimulationspro-gramm, Halbleiterparameter von Solarzellen ver ndert mit dem Ziel, die gemessene Temperaturabh ngigkeit des Kurzschlu stromes nachzubilden. Es wurden eigene Programme entwickelt, die den Temperatureinflu verschiedener Parameter, die in die Berechnung des Kurzschlu stromes von Solarzellen eingehen, aufzeigen. Dabei zeigten nderungen der Werkstoffparameter nicht den gew nschten Effekt. Da der Kurzschlu strom von der Lichteinstrahlung abh ngt, lag es nahe, die optischen Eigenschaften der Solarzelle zu untersuchen. Zuf llig ergab sich bei der Variation der Antireflex-Beschichtung ein Abfall des Kurzschlu stromes. Messungen der Reflexion an Solarzellen bei unterschiedlichen Temperaturen ergaben, da Antireflex-Beschichtungen aus Titandioxid einen Einflu auf den Kurzschlu strom der Solarzellen haben. Mit zunehmender Temperatur nimmt auch die Reflektivit t zu: Bei einer Temperaturerh hung von 300 K auf 500 K f hrt eine Beschichtung mit Titandioxid zu einem Anstieg der reflektierten Intensit t von bis zu 20 %. Es ist daher plausibel, da der Kurzschlu strom, der ja direkt von der eingestrahlten Photonenleistung abh ngig ist, mit dem Anstieg der Reflexion abnimmt. Im Vergleich zur Beschichtung mit Titandioxid f hrte eine Beschichtung mit Siliziumnitrid nicht zu einer hinreichenden Zunahme der Reflektivit t, um einen Abfall des Kurzschlu stromes zu errechnen. Die Messungen an Solarzellen mit Siliziumnitrid-Beschichtung ergaben aber auch nicht den Abfall des Kurzschlu stromes, der f r die Solarzellen mit Titandioxid-Beschichtung charakteristisch ist. Die gemessene wellenl ngenabh ngige Reflexion wurde als weiterer Parameter in die Si
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