A tecnologia est a diminuir a um ritmo significativo; o principal desafio consiste em conceber um amplificador diferencial em tecnologia nanoescala com os melhores par metros de desempenho. A tecnologia MOSFET est a diminuir para satisfazer os requisitos de desempenho, custo e pot ncia das futuras aplica es de elevado d bito. O escalonamento dos MOSFET convencionais pode ser mais dif cil, o n tecnol gico devido aos efeitos incontrol veis do canal curto e varia o excessiva da tens o de limiar. Por conseguinte, foram investigadas novas estruturas de trans stores para sustentar o escalonamento cont nuo. Os CNFET e os FinFET t m um grande potencial para substituir a atual tecnologia MOSFET em massa no futuro. Sendo um dos novos dispositivos promissores, os CNFET eliminam a maioria das limita es fundamentais dos dispositivos de sil cio tradicionais. O FinFET a escolha mais atractiva entre as arquitecturas de trans stores de porta dupla devido ao auto-alinhamento das duas portas e semelhan a das etapas de fabrico com a tecnologia MOSFET padr o existente.
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