La technologie se r duit une vitesse significative; le principal d fi consiste concevoir un amplificateur diff rentiel dans une technologie l' chelle nanom trique avec les meilleurs param tres de performance. La technologie MOSFET est en train de se r duire pour r pondre aux exigences de performance, de co t et de puissance des applications haut d bit venir. La mise l' chelle des MOSFET conventionnels peut s'av rer difficile au-del du noeud technologique en raison d'effets de canaux courts incontr lables et d'une variation excessive de la tension de seuil. C'est pourquoi de nouvelles structures de transistors ont t tudi es afin de poursuivre la mise l' chelle. Le CNFET et le FinFET ont un grand potentiel pour remplacer la technologie MOSFET existante l'avenir. En tant que nouveau dispositif prometteur, le CNFET limine la plupart des limitations fondamentales des dispositifs en silicium traditionnels. Le FinFET est le choix le plus int ressant parmi les architectures de transistors double grille en raison de l'auto-alignement des deux grilles et de la similitude des tapes de fabrication avec la technologie MOSFET standard existante.
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