In dieser Monografie werden die Probleme der Leckstromleistung, der Stromintegrit t aufgrund von Ersatzzellen und Spitzen-IR-Abf llen behandelt. Der Umfang der vorgeschlagenen L sung liegt auf der Ebene des physikalischen Designs nahe dem Designabschluss, wo Optimierungswerkzeuge nur ber begrenzte Ressourcen zur Behebung dieser Probleme verf gen. Es gibt jedoch viel Spielraum f r zuk nftige Arbeiten in anderen Bereichen des Low-PM-Spektrums, wie z. B. auf Schaltungsebene, Architekturebene, Design-Ebene und Software-Codierungsebene. Die meisten heutigen Halbleiterentwickler sind aufgrund des Aufwands f r die nderung bestehender Abl ufe und der engen Design-Zeitpl ne nicht an sehr neuen Techniken wie Gate-Array-ECO-Abl ufen unter Verwendung von ECO-Kits von Bibliotheksanbietern interessiert. Die vorgeschlagene Technik der "optimalen Zustandszuweisung" kann dazu beitragen, die Leckage von Ersatzzellen zu reduzieren, ohne die Designabl ufe zu beeintr chtigen, aber die Umstellung auf diese neuen Techniken wird zu einer vollst ndigen Reduzierung der Leckleistung von Ersatzzellen beitragen. Ein weiterer m glicher Bereich f r zuk nftige Untersuchungen ist die Verwendung von 65-nm-, 45-nm-, 32-nm- und 28-nm-Bibliotheken f r die Implementierung verschiedener datenflussintensiver Architekturen, um die vorgeschlagene Technik der "selektiven Glitch-Reduzierung" zu validieren.
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