Il presente studio verte sull'analisi delle propriet strutturali, elettroniche, ottiche ed elastiche delle leghe di Heusler complete di tipo X₂TaSi (dove X = Rb e K), nonch del composto Mn₂HfAl. Sono stati effettuati calcoli ab initio nell'ambito della teoria della funzione di densit (DFT) utilizzando il metodo delle onde piane aumentate linearizzate a potenziale integrale (FP-LAPW). Tutti i calcoli sono stati effettuati utilizzando il codice WIEN2k, adottando l'approssimazione del gradiente generalizzato (GGA), seguita dalla versione modificata di Becke-Johnson (mBJ-GGA) al fine di migliorare la precisione della stima del gap energetico. I risultati elettronici indicano che i composti studiati presentano un comportamento semiconduttivo distinto, determinato dalla struttura delle bande elettroniche. I calcoli ottici, effettuati per i composti K₂TaSi e Rb₂TaSi, rivelano un forte assorbimento e un'elevata riflettivit nel campo dell'ultravioletto, suggerendo il loro potenziale per applicazioni ottiche e optoelettroniche in questa gamma spettrale.
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