Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchf hrung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchf hrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen gen gen m ssen, um die geforderten Strukturgr en bis zu wenigen Nanometern gleichm ig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, tzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessf hrung erl utert.
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