No nosso trabalho est?vamos interessados em estudar o fen?meno de transforma??o de camadas de sil?cio monocristalino em sil?cio nanoestruturado. V?rias amostras de sil?cio poroso foram cultivadas por anodiza??o electroqu?mica em substratos de Si tipo P (100) e Si tipo N (100), variando alguns par?metros experimentais tais como intensidade de corrente e tempo de anodiza??o e composi??o electrol?tica. A fim de realizar o nosso trabalho, caracterizamos as propriedades das camadas por diferentes m?todos de caracteriza??o morfol?gica, estrutural e optoelectr?nica: SEM, fotoluminesc?ncia (PL), infravermelho (FTIR), elipsometria ES e medi??es de reflect?ncia. Os resultados das an?lises permitiram-nos real?ar a influ?ncia dos par?metros de anodiza??o e em particular a intensidade actual e a dura??o da anodiza??o. O c?lculo da porosidade das camadas nanoestruturadas d?-nos uma varia??o destas ?ltimas que vai de 45 a 80%. Atrav?s de uma escolha judiciosa dos par?metros experimentais ? poss?vel controlar o tamanho das nanoestruturas e a porosidade das amostras elaboradas.
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