Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS [French]

By Jagadeesh Chandra S. V., Rajesh T. V., V. V. Ramana Ch

Les di lectriques haute permittivit et les substrats appropri s font l'objet d' tudes intensives en vue de leur utilisation dans la conception VLSI. Cependant, l'oxyde d'hafnium (HfO2) est un candidat prometteur pour la prochaine g n ration de di lectriques de grille en raison de sa constante di lectrique 25 relativement lev e, de sa large bande interdite, de sa bonne stabilit thermique et de son nergie libre de r action relativement lev e avec le mat riau du substrat. R cemment, les dispositifs lectroniques base de Ge ont fait l'objet d'une attention consid rable et le Ge peut apporter des solutions aux probl mes majeurs auxquels la technologie Si est confront e pour les dispositifs CMOS avanc s; ceci est principalement d la plus grande mobilit des trous et des lectrons dans le substrat Ge. Ce livre est donc utile aux lecteurs pour conna tre certaines questions importantes sur la technologie Ge pour les dispositifs haute fr quence.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: B0CHL9L8TM
• ISBN13: 9786206433798
• Release Date: September 2023
• Publisher: Editions Notre Savoir
• Length: 68 Pages
• Weight: 0.25 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"