Die CIS-Technologie bietet die M glichkeit, Solarzellen im D nnschichtverfahren auf preiswerte Substrate wie Fensterglas aufzubringen. Hierbei ist CuGaSe2 als breitbandiger direkter Halbleiter insbesondere f r Tandemzellen in Kombination mit CuInSe2 ein interessantes Material, dessen Eigenschaften jedoch noch nicht ausreichend erforscht sind. Insbesondere die Ver nderungen der Grenzfl che und der Defektstruktur bei der Ausbildung des Hetero bergangs sind weitgehend unbekannt. Gerade aber diese Eigenschaften sind f r die Funktionsweise der Solarzellen von entscheidender Bedeutung. F r die Untersuchungen wurden epitaktische CuGaSe2-Schichten auf GaAs mittels MOCVD gewachsen. Bei den Photolumineszenzuntersuchungen wurde ausgenutzt, dass die unterschiedliche Eindringtiefe des anregenden Lichtes Information ber die Defektstruktur aus verschiedenen Tiefen des Absorbermaterials liefert. Da es sich um eine zerst rungsfreie Untersuchungsmethode handelt, konnte sukzessiv der Einfluss der einzelnen Prozessschritte bis hin zur funktionsf higen Solarzelle untersucht werden.
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