L'objectif de ce travail est la d termination des indices complexes, des fonctions di lectriques inconnues ainsi que l'analyse de l'effet d'incorporation des atomes d'azote et d'antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, labor es par la technique d' pitaxie par jets mol culaires (MBE), en utilisant la technique d'ellipsom trie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, bas s sur la substitution de l'arsenic dans GaAs avec de l'azote et/ou avec l'antimoine, ayant une nergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propri t s optiques qui d pendent fortement de la composition d'alliage ainsi que de l' tat de contrainte, pr sentent un grand int r t dans le domaine de l'opto lectronique. L'analyse des r sultats ellipsom triques par l'utilisation du mod le standard des points critiques (SCP) et du mod le de la fonction di lectrique d'Adachi (MDF) pour la param trisation de la fonction di lectrique de l'alliage nous ont permis de d terminer avec une grande pr cision les param tres des points critiques dans les diff rentes directions cristallographiques.
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