As portas din micas t m sido uma excelente escolha no projeto de m dulos de alto desempenho em microprocessadores modernos. A nica limita o das portas din micas a sua margem de ru do relativamente baixa, em compara o com a das portas CMOS padr o. Tradicionalmente, esta quest o tem sido resolvida atrav s da utiliza o de um circuito de reten o pMOS que compensa a corrente de fuga da rede nMOS de pull-down. Nos n s tecnol gicos anteriores, o circuito de reten o conseguia melhorar a fiabilidade das portas din micas com uma penaliza o de desempenho m nima. No entanto, as tend ncias de miniaturiza o agressivas da tecnologia CMOS, juntamente com os n veis crescentes de varia es de processo, reduziram a efic cia da abordagem tradicional de reten o. Este problema mais grave em portas din micas de ampla entrada devido ao grande n mero de dispositivos nMOS com fuga ligados ao n din mico. Neste trabalho, proposta uma porta OR din mica de ampla entrada tolerante a varia es de processo com dois novos designs de mantenedor, capazes de reduzir a conten o entre o mantenedor e a PDN e, consequentemente, de reduzir a dissipa o de energia e o atraso.
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