A aplica o da identifica o por radiofrequ ncia (RFID) de ultra alta frequ ncia (UHF) tem ganhado impulso desde a ratifica o do protocolo EPC Classe 1 Gen 2 (EPC C1G2, tamb m conhecido como ISO 18000-6C). A disponibilidade limitada do diodo de barreira Schottky (SBD) estimulou a investiga o de solu es alternativas de circuitos para fabricar chips RFID UHF de desempenho compar vel usando processos CMOS t picos. O front-end anal gico RFID UHF tem quatro componentes b sicos: retificador RF-DC UHF, refer ncia e regulador de tens o, modulador e demodulador. Este livro identificou o MOSFET de limiar din mico (DTMOST) como um dispositivo promissor em aplica es de ultra baixa pot ncia e explorou topologias de circuitos e metodologias de design que empregam DTMOST para o AFE RFID UHF. Todos os projetos e an lises de circuitos foram baseados em uma tecnologia CMOS 0,18 m de polissil cio nico com seis camadas met licas (1P6M) e triplo po o. O ganho de desempenho, o consumo de energia, a penalidade de rea e as considera es de projeto associadas s t cnicas DTMOST foram comparados e contrastados com as c lulas tradicionais.
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