Este livro apresenta o projeto de uma ALU de 1 bit de alta velocidade e baixo consumo de energia em tecnologia CMOS de 45 nm. O projeto de circuitos de alta velocidade e baixo consumo de energia surgiu como um campo desafiador e emergente entre projetistas e pesquisadores de circuitos. Uma ALU de 1 bit projetada em tecnologia CMOS de 45 nm usando t cnicas de circuito CMOS, nMOS PTL e GDI, e suas caracter sticas de desempenho, como dissipa o de energia, atraso, produto energia-atraso e n mero de transistores, s o comparadas. A t cnica GDI oferece melhores caracter sticas de desempenho para o projeto de um circuito VLSI de baixa pot ncia e alta velocidade. Essa t cnica de circuito reduz a dissipa o de energia e o atraso, al m de manter baixa complexidade no projeto do circuito integrado. Esta t cnica adequada para projetar um circuito VLSI de alta velocidade e baixo consumo de energia, utilizando um n mero muito menor de trans stores em compara o com outras t cnicas de projeto de circuitos. Esta t cnica surgiu como uma t cnica de circuito eficaz para projetar um circuito VLSI de alta velocidade e baixo consumo de energia. As contribui es feitas neste livro ajudariam os projetistas de circuitos e pesquisadores a projetar circuitos integrados de alta velocidade e baixo consumo de energia.
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