Zastosowanie identyfikacji radiowej (RFID) w paśmie ultra wysokich częstotliwości (UHF) zyskuje na popularności od czasu ratyfikacji protokolu EPC Class 1 Gen 2 (EPC C1G2, znanego r wnież jako ISO 18000-6C). Ograniczona dostępnośc diod barierowych Schottky'ego (SBD) pobudzila badania nad alternatywnymi rozwiązaniami obwod w do produkcji chip w RFID UHF o por wnywalnej wydajności przy użyciu typowych proces w CMOS. Analogowy front end RFID UHF sklada się z czterech element w: prostownika UHF RF-DC, referencji napięcia i regulatora, modulatora i demodulatora. W niniejszej publikacji zidentyfikowano tranzystor MOSFET z dynamicznym progiem (DTMOST) jako obiecujące urządzenie do zastosowań o bardzo niskim poborze mocy oraz zbadano topologie obwod w i metodologie projektowania wykorzystujące DTMOST dla AFE RFID UHF. Wszystkie projekty obwod w i analizy oparto na technologii CMOS 0,18 m z pojedynczą warstwą polikrzemu i sześcioma warstwami metalu (1P6M) oraz potr jną studnią. Por wnano i zestawiono ze sobą wzrost wydajności, zużycie energii, straty powierzchni i kwestie projektowe związane z technikami DTMOST w odniesieniu do tradycyjnych kom rek.
ThriftBooks sells millions of used books at the lowest everyday prices. We personally assess every book's quality and offer rare, out-of-print treasures. We deliver the joy of reading in recyclable packaging with free standard shipping on US orders over $20. ThriftBooks.com. Read more. Spend less.