Questo libro presenta la progettazione di un'ALU a 1 bit ad alta velocit e basso consumo con tecnologia CMOS a 45 nm. La progettazione di circuiti ad alta velocit e basso consumo diventata un campo stimolante ed emergente tra i progettisti e i ricercatori di circuiti. Un'ALU a 1 bit stata progettata con tecnologia CMOS a 45 nm utilizzando tecniche di circuito CMOS, nMOS PTL e GDI e sono state confrontate le sue caratteristiche prestazionali quali dissipazione di potenza, ritardo, prodotto potenza-ritardo e numero di transistor. La tecnica GDI offre caratteristiche prestazionali migliori per la progettazione di circuiti VLSI ad alta velocit e basso consumo. Questa tecnica di circuito riduce la dissipazione di potenza e il ritardo, mantenendo inoltre una bassa complessit nella progettazione dei circuiti integrati. Questa tecnica adatta alla progettazione di circuiti VLSI ad alta velocit e basso consumo utilizzando un numero molto inferiore di transistor rispetto ad altre tecniche di progettazione di circuiti. Questa tecnica si affermata come una tecnica di circuito efficace per la progettazione di circuiti VLSI ad alta velocit e basso consumo. I contributi forniti in questo libro aiuterebbero i progettisti di circuiti e i ricercatori nella progettazione di circuiti integrati ad alta velocit e basso consumo.
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