Principes et utilisations de la nanophotonique: QWs, QWWs et QDs de mat riaux nanostructur s opto lectroniques non lin aires et leurs cons quences photo lectriques ext rieures: En utilisant une loi de dispersion des lectrons r cemment d velopp e qui prend en compte les anisotropies des constantes d'orbite de spin, les lectrons de masse effective et le contr le de la division du champ cristallin dans le cadre du formalisme k.p, l'effet photo lectrique externe des puits quantiques, des fils de puits quantiques et des points quantiques de mat riaux nanostructur s optiques et opto lectroniques non lin aires. En outre, l'effet photo lectrique externe a t calcul pour les mat riaux II-VI et les mat riaux opto lectroniques confin s (tels que les QWs, QWWs et QWs).Au moyen de r seaux Hg1-xCdxTe, CdGaAs2 et In1-xGaxAsyP1-y confinement quantique appari s CdS, InP et InSb sous contrainte, il a t d couvert que l'effet photo lectrique externe pr sente des plateaux en fonction de l' nergie des photons incidents, ce qui est crucial d'un point de vue exp rimental. Notre approche g n ralis e est sp cialis e dans les r sultats num riques des semi-conducteurs d g n r s III-V opto lectroniques restriction quantique.
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