Os dispositivos emissores de luz org nicos (OLEDs) atingiram maturidade industrial na tecnologia de exibi o, uma vez que oferecem vantagens not veis, como alto brilho, resposta r pida, amplo ngulo de vis o, flexibilidade mec nica e baixo custo de fabrica o. Devido capacidade de eletroluminesc ncia (EL) a partir de estados excitados tripletos, bem como de estados excitados singletos, os OLEDs fosforescentes (PHOLEDs) t m potencial para atingir 100% de efici ncia qu ntica interna. Portanto, os PHOLEDs podem oferecer uma efici ncia qu ntica externa competitiva. No entanto, a estabilidade operacional dos PHOLEDs relativamente baixa. V rios mecanismos foram propostos para abordar os fen menos qu micos e f sicos associados degrada o intr nseca dos PHOLEDs. No entanto, as raz es por tr s do aumento da tens o e da perda de lumin ncia que acompanham a opera o de longo prazo dos PHOLEDs ainda n o s o bem compreendidas. Ao estudar a interface xido de ndio-estanho (ITO)/org nica em PHOLEDs simplificados, descobriu-se que essa interface fundamental para o desempenho dos PHOLEDs. O estudo mostra que essa interface fundamental para a estabilidade geral dos PHOLEDs e considerada um dos fatores limitantes da estabilidade operacional a longo prazo dos PHOLEDs simplificados.
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