Passivation de gaas par déposition lf-pecvd du nitrure de silicium [French]

By Abdelatif Jaouad and Jaouad-A

Les performances de plusieurs dispositifs fabriqu s sur des mat riaux III-V sont lourdement affect es par la grande densit des tats de surface qui sont localis s au voisinage du milieu de la bande interdite (niveaux profonds). Ces tats lectroniques sont responsables du pinning du niveau de Fermi, et emp chent l'' mergence d''une technologie MOS (M tal- Oxyde-Semiconducteur) viable ce jour sur ces mat riaux. Les niveaux profonds limitent aussi les performances des dispositifs photoniques. Dans ce document, nous d montrons que la d position du nitrure de silicium par LF-PECVD (Low frequency plasma enhanced vapor deposition), assure une passivation efficace du GaAs. Le mod le propos pour expliquer le fort potentiel de cette technique, est bas sur le fait que les ions hydrog ne fournies par le silane et l''ammoniac peuvent suivre le signal RF et traverser la gaine du plasma et bombarder la surface de GaAs. Cette hydrog nation permet de d soxyder la surface de GaAs et r duit l''arsenic l mentaire, ce qui permet de lever le pinning du niveau de Fermi. Ce mod le a t valid par des analyses physico-chimiques.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131581614
• ISBN13: 9786131581618
• Release Date: August 2011
• Publisher: Univ Europeenne
• Length: 164 Pages
• Weight: 0.55 lbs.
• Dimensions: 0.4" x 6.0" x 9.0"