Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS [Portuguese]

By Jagadeesh Chandra S V, Rajesh T V, V V Ramana Ch

Os diel ctricos de elevada permissividade e os substratos adequados est o a ser intensamente estudados tendo em vista a sua utiliza o na conce o de VLSI. No entanto, o xido de h fnio (HfO2) um candidato promissor para a pr xima gera o de diel ctricos de porta, devido sua constante diel ctrica relativamente elevada 25, ao seu grande intervalo de banda, sua boa estabilidade t rmica e sua energia livre de rea o relativamente elevada com o material do substrato. Recentemente, os dispositivos electr nicos baseados em Ge voltaram a receber uma aten o consider vel e o Ge pode fornecer solu es para os principais problemas que a tecnologia Si enfrenta nos dispositivos CMOS avan ados; isto deve-se principalmente maior mobilidade dos buracos e dos electr es no substrato Ge. Assim, este livro til para os leitores conhecerem algumas quest es importantes sobre a tecnologia Ge para dispositivos de alta frequ ncia.

• Format: Paperback
• Language: Portuguese
• ISBN: 620643382X
• ISBN13: 9786206433828
• Release Date: September 2023
• Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento
• Length: 68 Pages
• Weight: 0.25 lbs.
• Dimensions: 0.2" x 6.0" x 9.0"