Inhaltsangabe: Zusammenfassung: In der vorliegenden Arbeit wurde ein Prozess entwickelt, der es erlaubt, die Versetzungsdichten in Si/SiGe Heterostrukturen zu bestimmen. Dabei wurde im Besonderen Wert auf eine Einf hrung in die Untersuchungsmethoden der Oberfl chenmorphologie von Nanostrukturen, mittels Atomkraft-, Rastertunnel-, und Polarisationsmikroskop, gelegt. Diese Arbeit soll f r Interessierte einen erleichterten Einstieg in die Nanostrukturierung, der Methodik und der Terminologie diese Gebietes bringen, um im Anschluss ohne Probleme weiterf hrende Literatur studieren zu k nnen. Es wird auch speziell auf die Physik von Versetzungen in Festk rpern eingegangen und deren Arten der Sichtbarmachung, dabei werden auch die Grundprinzipien der Chemie von tzverfahren f r Halbleiter besprochen. Es wurden dabei zwei Verfahren zur Sichtbarmachung von Versetzungen untersucht. Im direkten Verfahren wurden die Proben, welche in der MBE-Anlage in Linz gewachsen wurden, direkt nach dem Wachstum unter das Atomkraftmikroskop gelegt. Dies sollte verhindern, dass sich st rende Oxidschichten an der Oberfl che bilden und das Scannen der Oberfl che erschweren. Hierbei wurde auch der Einfluss eines Reinigungsschrittes, der aus H2SO4, HF und Methanol besteht, auf die Qualit t der Scans untersucht. Es wurde versucht, direkt Versetzungsspiralen sichtbar zu machen. Dies erwies sich aus verschiedenen Gr nden als eine sehr schwierige Aufgabe, und es gelang nur, laterale mono- und doppelatomare Stufen aufzul sen. Als indirektes Verfahren wurde ein Versetzungs tzprozess auf der Basis von Cr(VI)O3 entwickelt. Diese L sung tzt selektiv die Probenoberfl che an den Stellen schneller an, an denen Fadenversetzungen die Oberfl che durchsto en. Die Fadenversetzungsdichte kann hier mit Hilfe eines Polarisationsmikroskops bestimmt werden. Inhaltsverzeichnis: Inhaltsverzeichnis: 1.Zusammenfassung1 2.Einleitung2 3.Si/SiGe Materialsystem4 3.1Allgemeines4 3.2Bandstruktur4 3.3Effektive Mass
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