Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si [Polish]

By Sonia Kaschieva

Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 r żnymi rodzajami tlenk w. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomocą AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po naświetlaniu elektronami MeV. Redystrybucję atom w tlenu i krzemu oraz generację nanokrysztal w Si podczas napromieniania elektron w MeV obserwowano odpowiednio za pomocą technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono r wnież badania wlaściwości optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe naświetlanych elektronami MeV folii SiOx.

• Format: Paperback
• Language: Polish
• ISBN: 620099577X
• ISBN13: 9786200995773
• Release Date: May 2020
• Publisher: Wydawnictwo Nasza Wiedza
• Length: 172 Pages
• Weight: 0.57 lbs.
• Dimensions: 0.4" x 6.0" x 9.0"