Halbleitende D nnfilmmaterialien sind die Grundbestandteile von photonischen, elektrischen und magnetischen Ger ten. Durch die Ver nderung der Eigenschaften der Materialien und die Verringerung ihrer Gr e erm glicht die Herstellung von Materialien in Form von D nnschichten eine einfache Integration in verschiedene Ger te. Die Hauptvorteile von D nnschichtsystemen sind die Ger teeffizienz und die Kostenreduzierung. Sie werden h ufig eingesetzt, um elektrische und optische Eigenschaften zu ver ndern, Oberfl chen vor Chemikalien zu sch tzen und Oberfl chen vor Abrieb zu bewahren. Aufgrund ihrer vorteilhaften Verwendung in der Solarenergie, bei Halbleiterbauelementen, integrierten Schaltkreisen, magneto-optischen Speichern, Leuchtdioden, multifunktionalen Schutzschichten, Fl ssigkristallanzeigen und anderen Technologien wird die Halbleiter-D nnschichtforschung rasch ausgebaut. In dieser bersicht werden die j ngsten Entwicklungen auf dem Gebiet der photokatalytischen nanostrukturierten halbleitenden D nnschichten, ihre Abscheidung, Herstellungstechniken, die Kontrolle der Mikro-/Nanostrukturen der Schichten, physikalisch-chemische Eigenschaften, photokatalytische Mechanismen und ihre photokatalytischen Anwendungen in den Bereichen Energie, einschlie lich Wasserstofferzeugung, CO2-Reduktion zu n tzlichen Chemikalien und Umweltsanierung er rtert.
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