Os avan os na tecnologia de fabrico high-k permitiram enormes taxas de progresso na ind stria microeletr nica, melhorando o desempenho de trans stores individuais e permitindo a integra o de mais trans stores num chip. Nos pr ximos anos, o MOS com high-k poder ser o nico a alterar os cen rios de fabrico de pequenos trans stores. Por conseguinte, os estudos sobre este dispositivo devem continuar com uma experimenta o intensiva. O impacto do diel trico high-k (TiO2) tamb m observado no trans stor NMOS. Verifica-se que a corrente de fuga sublimiar diminui com o aumento da tens o limiar, o que reduz o consumo de energia e melhora assim o desempenho do trans stor NMOS. A redu o da fuga de porta e da oscila o sublimiar faz com que a estrutura NMOS de alto k seja uma forte alternativa para os futuros dispositivos MOS em nanoescala. Tamb m se pode concluir da an lise que, medida que os dispositivos s o reduzidos, a tens o de limiar diminui.
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