Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstausl senden berstromschutzschalters f r 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Ausl sestromwertes selbstst ndig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand berzugehen und diesen zu halten.