Modélisation des paramètres de base des MOSFET non conventionnels [French]

By Swapnadip De

Dans ce livre, les techniques d'ing nierie de canal et d'ing nierie de grille sont combin es pour former de nouvelles structures de dispositifs propos es en tant que MOSFETs grille simple-halo double mat riau (SHDMG) et grille double-halo double mat riau (DHDMG). Les MOSFETs avanc s sont dop s de mani re non uniforme en raison d'un processus complexe. Par cons quent, l'un des facteurs cl s pour mod liser les param tres caract ristiques avec pr cision est de mod liser son profil de dopage non uniforme. Le livre pr sente galement un potentiel de surface sous seuil analytique, une tension de seuil, un courant de drain bas sur la th orie de la d rive-diffusion et un mod le de transconductance pour les n-MOSFETs SHDMG et DHDMG lin aires et profil gaussien fonctionnant jusqu'au r gime de 40nm. Un mod le analytique de courant de drain sous seuil bas sur le potentiel quasi-Fermi pour les transistors MOS SHDMG et DHDMG lin aires et profil gaussien, incorporant les champs frangeants aux deux extr mit s du dispositif, est galement propos .

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6206331199
• ISBN13: 9786206331193
• Release Date: August 2023
• Publisher: Editions Notre Savoir
• Length: 60 Pages
• Weight: 0.22 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"