Modellierung der grundlegenden Parameter für nicht-konventionelle MOSFETs [German]

By Swapnadip De

In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichm ig dotiert. Daher ist einer der Schl sselfaktoren f r die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichm igen Dotierungsprofils. In diesem Buch wird auch ein analytisches Modell f r das Oberfl chenpotential unterhalb der Schwelle, die Schwellenspannung, den Drainstrom und die Transkonduktanz auf der Grundlage der Drift-Diffusionstheorie f r lineare und auf einem Gau schen Profil basierende SHDMG- und DHDMG-n-MOSFETs vorgestellt, die bis zu 40 nm arbeiten. Ein auf Quasi-Fermi-Potential basierendes analytisches Modell des Drain-Stroms unterhalb der Schwelle f r lineare und auf Gau -Profil basierende SHDMG- und DHDMG-MOS-Transistoren, das auch die Streufelder an den beiden Enden des Bauelements ber cksichtigt, wird ebenfalls vorgeschlagen.

• Format: Paperback
• Language: German
• ISBN: 6206331172
• ISBN13: 9786206331179
• Release Date: August 2023
• Publisher: Verlag Unser Wissen
• Length: 64 Pages
• Weight: 0.23 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"