Modelação de parâmetros básicos para MOSFETs não convencionais [Portuguese]

By Swapnadip De

Neste livro, as t cnicas de engenharia de canal e engenharia de porta s o combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo nico (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avan ados s o dopados de forma n o uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precis o os par metros caracter sticos modelar o seu perfil de dopagem n o uniforme. O livro apresenta tamb m um modelo anal tico do potencial de superf cie sublimiar, da tens o limiar, da corrente de drenagem baseada na teoria da deriva-difus o e da transcondut ncia para SHDMG e DHDMG n-MOSFETs lineares e de perfil gaussiano que funcionam at ao regime de 40 nm. tamb m proposto um modelo anal tico de corrente de drenagem sub-limiar baseado no potencial quasi-Fermi para trans stores SHDMG e DHDMG MOS lineares e de perfil gaussiano, incorporando os campos de franja nas duas extremidades do dispositivo.

• Format: Paperback
• Language: Portuguese
• ISBN: 6206331210
• ISBN13: 9786206331216
• Release Date: August 2023
• Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento
• Length: 60 Pages
• Weight: 0.22 lbs.
• Dimensions: 0.1" x 6.0" x 9.0"