Modélisation prédictive du transistor mosfet fortement submicronique [French]

By Djeffal-F, Fayal Djeffal, Faycal Djeffal

L''industrie des composants ULSI exige des investissements financiers de plus en plus lourds pour mesurer la sophistication grandissante des produits fabriqu s ainsi que pour les quipements n cessaires leur laboration. De ce fait, la mod lisation lectrique des composants lectriques constitue actuellement un axe de recherche tr s convoit travers le monde. Pour suivre cette volution, les mod les existants doivent tre am lior s et de nouveaux mod les doivent tre d velopp s. Dans ce travail, on pr sente l''applicabilit des r seaux de neurones pour le d veloppement d''une approche analytique permettant l'' valuation de d gradation des transistors MOSFETs, le d veloppement d''un mod le neuronal de DG MOSFET qui permet d'' tudier les circuits CMOS nanom triques et ainsi la possibilit de produire des abaques graphiques pour l'' tude et l''optimisation de la r duction dimensionnelle des transistors DG MOSFETs. Les diff rents mod les d velopp s dans ce travail peuvent tre impl ment s dans les simulateurs lectroniques (SPICE, CADENCE, . .) afin de tirer des conclusions pratiques qui sont de nature int resser tous ceux qui sont appel s r aliser des circuits de technologie ULSI.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131529132
• ISBN13: 9786131529139
• Release Date: August 2010
• Publisher: Univ Europeenne
• Length: 164 Pages
• Weight: 0.55 lbs.
• Dimensions: 0.4" x 6.0" x 9.0"