Lo studio della fotoconduttivit? elettrica e degli spettri di assorbimento ottico del silicio drogato con varie impurit? ? di particolare interesse per lo sviluppo di promettenti campioni di fotocellule al silicio con sensibilit? spettrale estesa, in particolare nella regione dell'infrarosso. In questo lavoro vengono presentati i risultati degli studi sugli spettri della fotoconduttivit?, nonch? le misure elettriche della tensione a vuoto e della corrente di cortocircuito di campioni di silicio monocristallino, legati con impurit? di manganese e zolfo con rimozione strato per strato della superficie. Viene inoltre fornita una rassegna di vari approcci per aumentare l'efficienza della fotoconversione. Il libro pu? interessare i ricercatori nel campo della fisica dello stato solido, gli sviluppatori di fotocellule e gli studenti di fisica dei semiconduttori.
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