In dieser Arbeit werden verschiedene Mikrowellenplasmaunterst tzte Prozesse untersucht. Es werden tz- und Abscheideprozesse erforscht, die in der Halbleitertechnologie n tig sind. Dabei wird darauf geachtet, dass die Prozesstemperatur sehr gering ist. Durch die in der Arbeit untersuchten plasmaunterst tzten Prozesse, kann eine epitaktische Siliziumschicht bereits bei 450 C abgeschieden werden.
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