Die Erzeugung von Strahlungsdefekten durch hochenergetische MeV-Elektronenbestrahlung von n- und p-Typ Si-SiO2-Strukturen mit verschiedenen Arten von Oxiden wurde untersucht. Die Morphologie nderungen des SiO2-Oxids w hrend der MeV-Elektronenbestrahlung wurden mittels AFM beobachtet. Es werden Si+-Ionen-implantierte Si-SiO2-Strukturen vor und nach MeV-Elektronenbestrahlung vorgestellt. Die Umverteilung von Sauerstoff- und Silizium-Atomen und die Erzeugung von Si-Nanokristallen w hrend der MeV-Elektronenbestrahlung wurde mit RBS/C- bzw. AFM-Techniken beobachtet. Optische Eigenschaften, Photolumineszenz und spektroskopische Untersuchungen von SiOx-Filmen, die mit MeV-Elektronen bestrahlt wurden, werden ebenfalls durchgef hrt.
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