Ce livre porte sur l'?tude de d?p?t de couches minces par la pulv?risation cathodique qui pr?sente la partie la plus utilis?e dans le processus de d?p?t physique en phase vapeur PVD (physical vapor deposition).L'?nergie et le nombre de particules arrivant au substrat au cours du d?p?t physique en phase vapeur (PVD) sont aussi en ?troite relation avec divers param?tres. Dans ce travail, nous pr?sentons l'influence de la distance cible-substrat et la pression de gaz dans le proc?de de pulv?risation de couches d?pos?es de m?taux (Cu, Al et Ag) et de semi-conducteurs (Ge, Te et Si) pour un diam?tre de substrat de 50 cm et un diam?tre cible de 5 cm. Le flux de pulv?risation naissante, le flux des atomes et leur ?nergie arrivant sur le substrat ont ?t? simul?s par un autre code Monte Carlo appel? SIMTRA (Simulation of Metal Transport). On obtient un ban accord entre les travaux ant?rieurs d'autres groupes et nos simulations pour les pressions de pulv?risation (0,3 ? 1 Pa) et les distances de substrat-cible (10-50 cm).
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