Le d veloppement des technologies opto lectroniques repose sur la ma trise des propri t s des mat riaux semi-conducteurs et l'ing nierie des h t rostructures. Les alliages III-V, en particulier InₓAl₁₋ₓAs, offrent une grande flexibilit d'ing nierie de bande, mais leur int gration sur GaAs soul ve des enjeux li s aux contraintes pitaxiales. Cet ouvrage analyse la ma trise de ces contraintes dans les h t rostructures InₓAl₁₋ₓAs/GaAs travers une approche combinant mod lisation th orique et caract risations optiques, notamment par photoluminescence et spectroscopie Raman. Il s'inscrit dans une perspective fondamentale et applicative, visant l'optimisation de dispositifs opto lectroniques haute performance.
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