L'oxyde d'hafnium pour la microélectronique [French]

By Xavier Garros

Du fait de sa grande constante dielectrique et sa large bande interdite, l'oxyde d'hafnium a recemment ete propose pour remplacer l'oxyde thermique classique. Le but de cette these etait de faire un point sur les proprietes electriques de ce nouveau materiau et de mieux comprendre les difficultes rencontrees par l'industrie de la microelectronique pour integrer cet oxyde alternatif dans les futurs transistors CMOS. Cette these est organisee en quatre chapitres. Chacun d'entre eux est consacre a une propriete electrique essentielle de l'empilement haute permittivite: L'EOT (Epaisseur Equivalente Oxyde), la conduction a travers l'isolant, les defauts electriques dans l'oxyde et la fiabilite du dielectrique."

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131580375
• ISBN13: 9786131580376
• Release Date: June 2011
• Publisher: Omniscriptum
• Length: 304 Pages
• Weight: 0.99 lbs.
• Dimensions: 0.7" x 6.0" x 9.0"