Le transistor cmos: la course vers le nanomonde... [French]

By D Blavette, D Mangelinck, O Cojocaru-Miredin, et al.

Ce travail de th se est constitu de deux grandes parties. Dans la premi re partie, nous avons tudi la redistribution du B dans le Si(001), l''ambiante et apr s recuit thermique, l''aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette tude, le Si a t fortement dop en B. La concentration en B dans le Si peut alors d passer la limite de solubilit . On est donc dans le cas d''un syst me sursatur . Dans ce cas, nous avons observ qu'' la formation de d fauts (BIC''s, etc...) s''ajoute la germination d''amas riches en B ou m me la pr cipitation d''une nouvelle phase apr s recuit thermique. Dans la deuxi me partie, nous avons tudi la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilis lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de r duire la r sistance de contact. A part l''accumulation du B l''interface NiSi/Si et la surface de NiSi, nous avons observ , la pr cipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit 450 C. En revanche, pour le Pt nous n''observons plus un ph nom ne de pr cipitation. Il a plut t tendance de s gr ger aux interfaces 290 C (ph nom ne de "chasse-neige "), tandis qu''au del de 350 C, le Pt s''accumule plutot dans la phase NiSi.

• Format: Paperback
• Language: French
• ISBN: 6131548056
• ISBN13: 9786131548055
• Release Date: November 2010
• Publisher: Univ Europeenne
• Length: 280 Pages
• Weight: 0.91 lbs.
• Dimensions: 0.6" x 6.0" x 9.0"