Kantenisolation von monokristallinen Solarwafern auf Basis von thermisch angeregten tzpasten mittels CO2-Laser. ber Anregung einer KOH-Paste wurde selektiv Silizium am Rand eines Wafer zur Erzeugung einer Isolationskante ge tzt. In Abh ngigkeit des Isolationsgrades wurden die Spurbreiten der aufgetragenenen Paste sowie die Laserparameter Intensit t und Vorschubgeschindigkeit untersucht. Dabei wurde gezeigt, dass die Wafer unter bestimmten Parameter isoliert werden k nnen.
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