Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si [Italian]

By Sonia Kaschieva

E' stata studiata la generazione di difetti di radiazione mediante irradiazione di elettroni MeV ad alta energia di tipo n e p- struttura Si-SiO2 con diversi tipi di ossidi. I cambiamenti morfologici di ossido di SiO2 durante l'irradiazione di elettroni MeV stato osservato da AFM. Si + strutture Si-SiO2 impiantato ioni Si + impiantato strutture Si-SiO2 prima e dopo l'irradiazione di elettroni MeV sono presentati. La ridistribuzione di atomi di ossigeno e di silicio e la generazione di nanocristalli Si durante l'irradiazione di elettroni MeV stata osservata da RBS / C e AFM tecniche rispettivamente. Propriet ottiche, fotoluminescenza e studi spettroscopici di film di SiOx irradiati con elettroni MeV sono anche effettuati.

• Format: Paperback
• Language: Italian
• ISBN: 6200995753
• ISBN13: 9786200995759
• Release Date: May 2020
• Publisher: Edizioni Sapienza
• Length: 172 Pages
• Weight: 0.57 lbs.
• Dimensions: 0.4" x 6.0" x 9.0"