Foi estudada a gera o de defeitos de irradia o por irradia o electr nica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de xidos. As altera es morfol gicas do xido de SiO2 durante a irradia o dos electr es do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ i es implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradia o dos electr es MeV s o apresentadas. A redistribui o dos tomos de oxig nio e sil cio e a gera o de nanocristais de Si durante a irradia o dos electr es MeV foi observada pelas t cnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades pticas, a fotoluminesc ncia e os estudos espectrosc picos das pel culas de SiOx irradiadas com electr es MeV s o tamb m realizados.
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